|
1 |
Название дисциплины |
Технология электроники |
|
2 |
Курс обучения |
2, специальность «Математика (научно-конструкторская деятельность) |
|
3 |
Семестр обучения |
4 |
|
4 |
Количество кредитов |
2 |
|
5 |
Ф.И.О. лектора |
Ст. преподаватель Малышев Виктор Степанович |
|
6 |
Цели изучения дисциплины |
Ознакомление с технологией формирования интегральных микросхем, как необходимого элемента при проектировании микросхем. |
|
7 |
Пререквизиты |
Физические основы электроники |
|
8 |
Содержание дисциплины |
Формирование представления обо всех основных этапах формирования интегральных схем на полупроводниковых пластинах на основе биполярных или МОП (металл-окисел-полупроводник) транзисторов, а также даются физико-химические основы и формальные математические модели, описывающие процессы изготовления ИС. Получаемые соотношения между параметрами вольт-амперных характеристик элементной базы, её геометрическими характеристиками и режимами изготовления дают возможность описания технологического процесса, правил проектирования топологического рисунка. Так же дается представление о статистических методах контроля, необходимых в современных системах качеств |
|
9 |
Рекомендуемая литература |
1. Малышев В.С. курс лекций «Технология электроники». Электронный вариант. 2. Зи С. Технология СБИС. Москва, «Мир», 1986 3. И.Г. Пичугин. Ю.М., Таиров. Технология полупроводниковых приборов. Москва, «Высшая школа» 4. Дж. Мердок. Контрольные карты. Москва «Финансы и статистика». 1986. |
|
10 |
Методы преподавания |
Лекции с использованием иллюстративного материала в виде слайдов, практические занятия с применением задач |
|
11 |
Язык обучения |
Русский |
|
12 |
Условия (требования), текущий контроль |
Устное тестирование, решение задач |
|
13 |
Форма текущей аттестации |
Экзамен |